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Toshiba bringt hocheffizienten 100-V-N-Kanal-MOSFET auf den Markt
Toshiba präsentiert den TPH2R70AR5, einen 100V N-Kanal MOSFET mit U-MOS11-H-Prozess, dessen um 42% verbesserte Leistungszahl die Effizienz in industriellen Schaltnetzteilen steigert.
www.global.toshiba
Toshiba Electronics Europe GmbH („Toshiba“) hat einen neuen N-Kanal-Leistungs-MOSFET für 100 V auf den Markt gebracht, gefertigt mit dem neuesten U-MOS11-H-Prozess. Das neue Bauteil kommt in erster Linie in Schaltnetzteilen (SMPS) zum Einsatz, insbesondere in hocheffizienten DCDC-Wandlern. Zu den wichtigsten Anwendungen werden Rechenzentren, Kommunikationsbasisstationen und andere industrielle High-End-Anwendungen gehören.
Dank des fortschrittlichen 100-V-U-MOS11-H-Prozesses bietet der neue TPH2R70AR5 erhebliche Leistungsvorteile gegenüber Bauteilen, die mit dem bisherigen U-MOSX-HProzess hergestellt wurden. So wurde der Drain-Source-Einschaltwiderstand (RDS(ON)) um rund 8 % auf nur noch 2,7 mΩ (max.) verringert. Zugleich ist die Gesamt-Gate-Ladung (Qg) um 37 % reduziert und beträgt 52 nC (typ.). Die Gütezahl („Figure of Merit“, FoM) RDS(ON) x Qg verbessert sich dadurch um 42% gegenüber früheren Bauteilen wie dem UMOSX-H-basierten TPH3R10AQM.
Dank der Steuerung der Ladungsträgerlebensdauer erzielt der TPH2R70AR5 ein hocheffizientes und schnelles Leistungsverhalten der Body-Diode. Als Folge verbessert sich die Schaltgeschwindigkeit; die Dioden-Erholzeit und das Rauschen werden reduziert. Die Technologie zur Ladungsträgerlebensdauersteuerung verringert auch die Sperrverzögerungsladung (Qrr) auf 55 nC (typ.) und unterdrückt Spannungsspitzen. Die FoM RDS(ON) x Qrr wird um rund 43 % verbessert.
Die ausgezeichneten RDS(ON), Qg- und Qrr-Werte reduzieren sowohl Leitungs- als auch Schaltverluste und steigern so die Effizienz in leistungsbezogenen Anwendungen. Dies senkt die Betriebskosten und ermöglicht höhere Leistungsdichten. Das SOP Advance (N)Gehäuse des TPH2R70AR5 misst nur 5,15 mm x 6,1 mm und bietet hohe Leistung auf kleinster Grundfläche, bei für hervorragende Montagekompatibilität.
Der neue TPH2R70AR5 ist für einen maximalen Drainstrom (ID) von 190 A bei 25 °C Umgebungstemperatur ausgelegt. Die zulässige Kanaltemperatur (Tch) reicht bis 175 °C, was den Kühlungsbedarf senkt.
Toshiba stellt zudem Tools für die Schaltungsentwicklung bereit. Neben dem G0-SPICEModell zur schnellen Überprüfung der Schaltungsfunktion stehen jetzt auch hochpräzise G2-SPICE-Modelle, die das Einschwingverhalten reproduzieren, als kostenlose Downloads auf Toshibas Webseite zur Verfügung.
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Dank des fortschrittlichen 100-V-U-MOS11-H-Prozesses bietet der neue TPH2R70AR5 erhebliche Leistungsvorteile gegenüber Bauteilen, die mit dem bisherigen U-MOSX-HProzess hergestellt wurden. So wurde der Drain-Source-Einschaltwiderstand (RDS(ON)) um rund 8 % auf nur noch 2,7 mΩ (max.) verringert. Zugleich ist die Gesamt-Gate-Ladung (Qg) um 37 % reduziert und beträgt 52 nC (typ.). Die Gütezahl („Figure of Merit“, FoM) RDS(ON) x Qg verbessert sich dadurch um 42% gegenüber früheren Bauteilen wie dem UMOSX-H-basierten TPH3R10AQM.
Dank der Steuerung der Ladungsträgerlebensdauer erzielt der TPH2R70AR5 ein hocheffizientes und schnelles Leistungsverhalten der Body-Diode. Als Folge verbessert sich die Schaltgeschwindigkeit; die Dioden-Erholzeit und das Rauschen werden reduziert. Die Technologie zur Ladungsträgerlebensdauersteuerung verringert auch die Sperrverzögerungsladung (Qrr) auf 55 nC (typ.) und unterdrückt Spannungsspitzen. Die FoM RDS(ON) x Qrr wird um rund 43 % verbessert.
Die ausgezeichneten RDS(ON), Qg- und Qrr-Werte reduzieren sowohl Leitungs- als auch Schaltverluste und steigern so die Effizienz in leistungsbezogenen Anwendungen. Dies senkt die Betriebskosten und ermöglicht höhere Leistungsdichten. Das SOP Advance (N)Gehäuse des TPH2R70AR5 misst nur 5,15 mm x 6,1 mm und bietet hohe Leistung auf kleinster Grundfläche, bei für hervorragende Montagekompatibilität.
Der neue TPH2R70AR5 ist für einen maximalen Drainstrom (ID) von 190 A bei 25 °C Umgebungstemperatur ausgelegt. Die zulässige Kanaltemperatur (Tch) reicht bis 175 °C, was den Kühlungsbedarf senkt.
Toshiba stellt zudem Tools für die Schaltungsentwicklung bereit. Neben dem G0-SPICEModell zur schnellen Überprüfung der Schaltungsfunktion stehen jetzt auch hochpräzise G2-SPICE-Modelle, die das Einschwingverhalten reproduzieren, als kostenlose Downloads auf Toshibas Webseite zur Verfügung.
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