ROHM und Infineon kooperieren bei flexiblen SiC-Leistungspaketen

ROHM Co., Ltd. und die Infineon Technologies AG haben eine Absichtserklärung (Memorandum of Understanding) zur Zusammenarbeit bei Siliziumkarbid-(SiC)-Leistungshalbleiter-Gehäusen unterzeichnet, die in Anwendungen wie Onboard-Ladegeräten, Photovoltaik, Energiespeichersystemen und KI-Rechenzentren zum Einsatz kommen. Konkret beabsichtigen die Partner, wechselseitig als zweite Bezugsquelle („Second Source“) für Kunden zu fungieren, die ausgewählte Gehäuse für SiC-Leistungshalbleiter nutzen. Damit steigt die Flexibilität der Kunden bei Design und Beschaffung. Künftig können sie Bauteile mit kompatiblen Gehäusen sowohl von ROHM als auch von Infineon beziehen. Die Zusammenarbeit zwischen den beiden Unternehmen stellt eine nahtlose Kompatibilität je nach spezifischem Kundenbedarf sicher.

„Wir freuen uns, gemeinsam mit ROHM die Etablierung von SiC-Leistungsschaltern im Markt weiter zu beschleunigen“, sagt Dr. Peter Wawer, Division President Green Industrial Power bei Infineon. „Unsere Zusammenarbeit bietet Kunden mehr Auswahl und Flexibilität bei Design und Beschaffung und ermöglicht die Entwicklung energieeffizienterer Anwendungen, die die Dekarbonisierung weiter vorantreiben.“

Im Rahmen der Vereinbarung übernimmt ROHM die innovative Top-Side-Cooling-Plattform für SiC von Infineon, einschließlich der TOLT, D-DPAK, Q-DPAK, Q-DPAK dual und H-DPAK-Gehäuse. Die Top-Side-Cooling-Plattform von Infineon bietet zahlreiche Vorteile, darunter eine Standardhöhe von 2,3 mm für alle Gehäuse. Das vereinfacht das Design und senkt die Kühlkosten, ermöglicht eine effizientere Platzausnutzung auf der Leiterplatte und eine bis zu doppelt so hohe Leistungsdichte.

Gleichzeitig wird Infineon basierend auf dem DOT-247-Gehäuse von ROHM mit SiC-Halbbrückenkonfiguration ein kompatibles Produkt entwickeln. Damit erweitert Infineon sein kürzlich angekündigtes Double-TO-247-IGBT-Portfolio um SiC-Halbbrückenlösungen. Das fortschrittliche DOT-247-Gehäuse von ROHM bietet eine höhere Leistungsdichte und reduziert den Montageaufwand im Vergleich zu Standard-Einzelgehäusen. Durch die einzigartige Struktur, die zwei TO-247-Gehäuse integriert, lassen sich der Wärmewiderstand um etwa 15 Prozent und die Induktivität um 50 Prozent im Vergleich zum TO-247 reduzieren. Diese Vorteile ermöglichen eine 2,3-fache Leistungsdichte.

ROHM und Infineon planen, ihre Zusammenarbeit künftig auf weitere Gehäuse für Silizium- und Wide-Bandgap-Leistungshalbleitertechnologien wie SiC und Galliumnitrid (GaN) auszuweiten. Damit wollen die beiden Unternehmen ihre Kooperation weiter stärken und Kunden eine noch breitere Auswahl an Lösungen und Bezugsquellen bieten.

SiC-basierte Halbleiter verbessern Hochleistungsanwendungen, indem sie Strom noch effizienter schalten, eine hohe Zuverlässigkeit und Robustheit unter extremen Bedingungen bieten und kompaktere Designs ermöglichen. Mit den SiC-Produkten von ROHM und Infineon können Kunden energieeffiziente Lösungen entwickeln und die Leistungsdichte in Anwendungen wie Ladegeräten für Elektrofahrzeuge, erneuerbaren Energiesystemen und KI-Rechenzentren erhöhen.

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