Infineon präsentiert Referenzdesign für 12-kW-Hochleistungsnetzteil für KI-Rechenzentren
Das 12-kW-Netzteil-Referenzdesign von Infineon kombiniert CoolSiC/CoolGaN-Technologien für einen Wirkungsgrad von 99 % und eine Leistungsdichte von 113 W/in³ in KI-Rechenzentren.
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Die Infineon Technologies AG bringt ein 12-kW-Referenzdesign für Hochleistungsnetzteile (Power Supply Unit, PSU) auf den Markt, das speziell für KI-Rechenzentren und Serveranwendungen entwickelt wurde. Das Referenzdesign bietet eine hohe Effizienz und Leistungsdichte, wobei alle relevanten Halbleitermaterialien wie Silizium (Si), Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN) zum Einsatz kommen. Es richtet sich an Forschungs- und Entwicklungsingenieure, Hardware-Designer sowie Entwickler von Leistungselektroniksystemen.
„Mit Blick auf den ständig zunehmenden Energiebedarf künstlicher Intelligenz leistet Infineon einen wichtigen Beitrag, indem wir Stromversorgungslösungen mit höchster Umwandlungseffizienz anbieten, um jedes einzelne Watt bestmöglich auszuschöpfen,“ sagt Richard Kunčič, Senior Vice President und General Manager Power Switches bei Infineon. „Unser neues Referenzdesign für 12-kW-Netzteile mit hoher Leistungsdichte nutzt fortschrittliche Energieumwandlungstopologien und setzt dabei auf CoolMOS™, CoolSiC™ und CoolGaN™. Dadurch kann das Netzteil sein volles Potenzial in Bezug auf Energieeffizienz, Zuverlässigkeit und Leistungsdichte ausschöpfen. Wir sind stolz darauf, bei der Stromversorgung für KI eine Vorreiterrolle einzunehmen.“
Um eine hohe Leistungsfähigkeit zu erzielen, werden sowohl in der AC/DC- als auch in der DC/DC-Stufe fortschrittliche Topologien zur Leistungsumwandlung eingesetzt. Der Front-End-AC/DC-Wandler nutzt eine dreistufige PFC-Topologie mit Flying-Capacitor-Interleaving, die einen Spitzenwirkungsgrad von über 99,0 Prozent erreicht und gleichzeitig das Volumen der magnetischen Bauteile reduziert. Ermöglicht wird das durch die CoolSiC-Technologie von Infineon, die eine hohe Schaltleistung bei hervorragenden thermischen Eigenschaften bietet. Der isolierte DC/DC-Wandler verwendet einen Vollbrücken-LLC-Resonanzwandler und bietet einen Spitzenwirkungsgrad von über 98,5 Prozent. Realisiert wird dies durch den Einsatz von zwei planaren Hochfrequenztransformatoren und der CoolGaN-Technologie von Infineon. In Kombination mit den neuesten Wide-Bandgap-Technologien von Infineon erreichen diese Architekturen eine Leistungsdichte von bis zu 113 W/in³.
Ein weiteres wichtiges Merkmal des 12-kW-PSU-Referenzdesigns ist der bidirektionale Energiepuffer, der in die gesamte Stromversorgungstopologie integriert ist. Der Wandler ermöglicht die Einhaltung der Anforderungen an die Haltezeit und reduziert gleichzeitig den Kapazitätsaufwand erheblich. Darüber hinaus bietet der Energiespeicher eine Netzformungsfunktion, die die Systemzuverlässigkeit verbessert und sowohl die Leistungsschwankungen als auch die Änderungsrate der aus dem Netz bezogenen Leistung während transienter Ereignisse begrenzt.
OktoberTech Taipeh
Weitere Informationen zum 12-kW-Netzteil-Referenzdesign gibt es auf der OktoberTech von Infineon in Taipeh am 11. September.
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