Infineon bringt EasyPACK™ C SiC-Leistungsmodule auf den Markt
Neue CoolSiC MOSFET-G2-Module bieten höhere Leistungsdichte, längere Lebensdauer und verbesserte thermische Leistung für anspruchsvolle Industrieanwendungen wie Schnellladen und Energiespeicherung.
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Industrielle Anwendungen wie das schnelle Laden von Elektrofahrzeugen mit Gleichstrom (DC-Laden), Ladesysteme im Megawattbereich, Energiespeichersysteme und unterbrechungsfreie Stromversorgungen arbeiten unter rauen Bedingungen und schwankenden Lastprofilen. Diese Systeme erfordern eine hohe Effizienz, eine hohe Belastbarkeit bei thermischen Lastwechseln sowie eine lange Lebensdauer. Um diese Anforderungen zu erfüllen, bringt die Infineon Technologies AG EasyPACK™ C auf den Markt, die nächste Generation ihrer EasyPACK-Gehäusefamilie. Die ersten Produkte im neuen Gehäuse sind Siliziumkarbid (SiC)-Leistungsmodule, die die CoolSiC™ MOSFETs 1200 V G2 und die .XT-Verbindungstechnologie von Infineon integrieren. Indem sie statische Verluste reduzieren und die Zuverlässigkeit verbessern, adressieren die Module den wachsenden Energiebedarf und die Nachhaltigkeitsziele in industriellen Anwendungen.
Die neuen Produkte basieren auf der CoolSiC MOSFET G2-Technologie von Infineon und ermöglichen Designs mit einer mehr als 30 Prozent höheren Leistungsdichte und einer bis zu 20-mal längeren Lebensdauer im Vergleich zur vorherigen Generation von CoolSiC MOSFETs. Darüber hinaus bieten sie eine deutliche Verringerung des RDS(on), mit einer Verbesserung von rund 25 Prozent. Das neue EasyPACK C-Gehäusekonzept erhöht zudem die Leistungsdichte, ermöglicht flexiblere Layouts und ebnet den Weg für zukünftige Designs mit höheren Spannungsklassen. Die .XT-Verbindungstechnologie von Infineon verlängert zusätzlich die Lebensdauer der Bauteile.
Die Module halten Überlast-Schaltbedingungen bis zu Tvj(over) = 200°C stand. Neue PressFIT-Pins verdoppeln die Strombelastbarkeit, senken die Temperatur auf der Leiterplatte und erleichtern den Montageprozess. Ein neues Kunststoffmaterial und Silikongel unterstützen Betriebstemperaturen von bis zu Tvj(op) = 175°C. Darüber hinaus bieten die Module eine Isolationsleistung von 3 kV AC für eine Minute. Diese Eigenschaften tragen zu einer hervorragenden Modul- und Systemeffizienz, einer verlängerten Lebensdauer und einer hohen Temperaturbeständigkeit bei.
Die neuen Module im EasyPACK C-Gehäuse sind in verschiedenen Topologien erhältlich, darunter 3-Level- und H-Brücken-Konfigurationen, sowie mit und ohne Wärmeleitmaterial.
Verfügbarkeit
Die ersten Module mit der CoolSiC MOSFET G2-Technologie im EasyPACK C-Gehäuse sind ab sofort erhältlich. Weitere Informationen sind verfügbar unter.
Infineon plant, das Produktportfolio weiter auszubauen, um den sich wandelnden Anforderungen verschiedener Anwendungen zu entsprechen.
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